Германий в сверхпроводящем состоянии может быть использован в производстве кабельно-проводниковой продукции

Германий в сверхпроводящем состоянии может быть использован в производстве кабельно-проводниковой продукции

Группе ученых, работающих в Дрезденском научно-исследовательском центре, удалось доказать, что при соответствующем атмосферном давлении высоколегированный германий может переходить в сверхпроводящее состояние. Это изобретение можно будет использовать в производстве кабельно-проводниковой продукции.

Если вам необходим гибкий контрольный кабель КГВВ  или КВВГнг-ls, зайдите на сайт http://promelektromir.ru компании ООО «ПромЭлектроМир». Этот вид кабеля используется в различных областях промышленности, например, для присоединения распределительных устройств к электрическому оборудованию и приборам. Компания предлагает широкий ассортимент кабельно-проводниковой продукции, товары для монтажа электросетей и электроустановочные изделия.

Полупроводники без примесей в случае низких температур, как известно, обладают свойствами, характерными для диэлектриков, в связи с чем их требуется легировать, чтобы продемонстрировать сам факт сверхпроводимости. Немецкие ученые использовали в своей разработке ионы галлия, которые вводили способом ионной имплантации в структуру исследуемого материала. В результате получился слой полупроводника с примесями толщиной примерно 60 нм, причем на каждые 100 атомов германия приходилось около 6 атомов галлия. Когда легирование заканчивается, кристаллическую решетку полупроводника следует снова восстановить, для чего поверхность материала на несколько миллисекунд вновь разогревают.

Получившая в результате полупроводниковая структура обретает сверхпроводящее состояние при температуре приблизительно 0,5 К, хотя ученые и планируют изменить, то есть повысить этот показатель посредством изменения некоторых параметров отжига и имплантации ионов. Если говорить именно о достоинствах нового материала, следует отметить необычно высокое значение для критического магнитного поля, то есть наибольшей величины напряженности, при которой магнитное поле еще не осуществляет проникновения в полупроводник для имеющейся температуры.